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発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)： 大塚 康徳 , 高柳 司郎 , 大塚 康弘 , 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-012546
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192891
出願日： 2010年01月22日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
引用特許：
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出願人/特許権者：
三菱化学株式会社
, 三菱化学株式会社 について
独立行政法人科学技術振興機構
独立行政法人科学技術振興機構 について
代理人 (4件)： 大塚 康徳 , 高柳 司郎 , 大塚 康弘 , 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-012546
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192891
出願日： 2010年01月22日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】効率よくp型半導体とn型半導体とを含む半導体層を備える半導体デバイスを製造する方法を提供する。【解決手段】その一方がp型半導体材料であり他方がn型半導体材料である、第1の半導体材料と第2の半導体材料とを含む半導体層を備える半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法である。第1の半導体材料と第3の材料とを含む層に対して、第3の材料を第2の半導体材料で置換する置換工程を備え、前記第3の材料は半導体材料ではない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
その一方がp型半導体材料であり他方がn型半導体材料である、第1の半導体材料と第2の半導体材料とを含む半導体層を備える半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法であって、
前記第1の半導体材料と第3の材料とを含む層に対して、前記第3の材料を前記第2の半導体材料で置換する置換工程を備え、
前記第3の材料は半導体材料ではない
ことを特徴とする、半導体デバイスの製造方法。
IPC (1件)： FI (1件)：
Fターム (5件)：
引用特許：
審査官引用 (6件)
- 液晶相互貫入性ポリマーネットワーク
公報種別：公表公報 出願番号：特願2007-505637 出願人：ユニヴァーシティ・オヴ・ハル - 光起電力素子に好適な組成物および光起電力素子
公報種別：公開公報 出願番号：特願2007-265227 出願人：東レ株式会社 - 有機電子デバイス及びその製造方法、並びに、有機半導体分子
公報種別：公開公報 出願番号：特願2006-297470 出願人：ソニー株式会社
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