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J-GLOBAL ID：201102285898737882   整理番号：11A0104491

半導体微細素子への応用を目指した,領域および波長選択量子ドットのモノリシック成長

著者 (2件)： 尾崎信彦 (和歌山大 システム工) ,  浅川潔 (物質・材料研究機構)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 24  ページ： 118-127  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは以前にフォトニック結晶(PC)導波路中に埋め込まれた半導体量子ドット(QD)を光非線形媒体として利用する全光素子を提案した。本論文では,本素子の作製においてQDを選択領域,選択波長でモノリシックに作製する方法として,1)メタルマスク(MM)法,2)ナノジェットプローグ法を提案した。1)では従来のMBE(Molecular Beam Epitaxy)法によるQD成長時に,選択領域成長のための金属のシャドウマスクを成長基板上に被覆する。PC/QD融合全光素子では数百mmサイズの2箇所の選択領域のQDの吸収波長を20nm離調させる必要があるので,マスク上に回転非対称パターンの開口部を設け,基板に対して0度と180度の配向で隣接する2箇所に選択成長領域を得た。また,QD成長後に同様にMMを用いて各QD上にIn_0.2GaAsの歪緩和層(SRL)を堆積させ,SRLの膜厚制御によってQDの発光波長を制御する。一方,2)は原子間力顕微鏡カンチレバーを改造し,加電圧によってInドットが滴下するようにしたプローブで置いた液滴にAsの分子線を照射する。実際に約20μm四方の選択領域からQDによる発光が確かめられ,素子が微細になるほど効果的であることを示した。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *微細構造 ,  *量子ドット ,  選択 ,  *薄膜成長 ,  固体素子 ,  原子間力顕微鏡 ,  片持梁 ,  制御 ,  膜厚
準シソーラス用語： カンチレバー ,  *モノリシック成長 ,  全光素子 ,  波長選択 ,  半導体デバイス ,  *半導体微細素子 ,  膜厚制御

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (8件)：

• Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939(1982).
• M. Sugawara et al., J. Phys. D 38, 2126(2005).
• D. Leonardo, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, and P. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203(1993).
• Kiyoshi Asakawa, et al., New J. Phys. 8, 208(2006).
• N. Ozaki, Y. Takata, S. Ohkouchi, Y. Sugimoto, Y. Nakamura, N. Ikeda, K. Asakawa, J. Crystal Growth 301-302, 771-775(2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細素子 ,  応用 ,  波長選択 ,  量子ドット ,  成長