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特許
J-GLOBAL ID:201103043541497174

半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-157613
公開番号(公開出願番号):特開2001-053014
特許番号:特許第3527941号
出願日: 2000年05月29日
公開日(公表日): 2001年02月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 不純物原子を含まない母層単結晶中にドナーまたはアクセプタである不純物原子を含むコアが埋め込まれた構造を有する半導体スーパーアトムの作製方法において、母層単結晶基板上に無添加エピタキシャル膜を形成し、その無添加エピタキシャル膜の表面上に、前記不純物原子と同じ原子からなる探針を持った走査型トンネル顕微鏡を用いて、ドナーまたはアクセプタとして必要な個数の不純物原子を堆積させ、さらにコアとなる半導体ナノ構造の形成のために液滴エピタキシーを用いて液滴を形成することで、原子数を単原子精度で制御した不純物原子をコアにのみ選択的に取り込むことを特徴とする半導体スーパーアトムの作製方法。
IPC (5件):
H01L 21/203 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/363 ,  C30B 19/00 ,  H01L 29/06
FI (5件):
H01L 21/203 M ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/363 ,  C30B 19/00 Z ,  H01L 29/06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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