SiH2(CH3)2を用いたSi1-yCy薄膜の家温エピタキシャル成長

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J-GLOBAL ID：201202147608902773 整理番号：12A1395635

SiH₂(CH₃)₂を用いたSi_1-yC_y薄膜の家温エピタキシャル成長

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 61st 号： 1 ページ： 336 発行年： 2000年09月03日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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