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J-GLOBAL ID：201202279946154581   整理番号：12A0589379

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

著者 (11件)： 新井佑也 (埼玉大 大学院) ,  星野真也 (埼玉大 大学院) ,  高宮健吾 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  望月敏光 (東大 物性研) ,  吉田正裕 (東大 物性研) ,  秋山英文 (東大 物性研) ,  窪谷茂幸 (東大) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-DP3-13  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  捕獲中心 ,  直線偏光 ,  *光ルミネセンス ,  *光源 ,  赤外発光スペクトル ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *単一光子源 ,  等電子トラップ ,  *単軸応力
準シソーラス用語： 微小フォトルミネセンス ,  *一軸応力

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光源  (BD07020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  δドープ ,  GaAs ,  窒素原子 ,  等電子トラップ ,  一軸応力