特許
J-GLOBAL ID：201203058689238822
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-289138
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124500
出願日： 2011年12月28日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地層10上に、自己組織化成長により量子ドット16を形成する工程と、量子ドット16を形成する工程の前又は量子ドット16を形成する工程の際に、下地層10の表面にSb又はGaSbを照射する工程と、量子ドット16の表面をAs原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット16の表面に析出したSbを含むInSb層18を除去する工程と、InSb層18が除去された量子ドット16上に、キャップ層22を成長する工程とを有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットの表面に、有機Sb原料ガスを照射する工程と、
前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01S 5/343
, C23C 16/30
, C23C 16/18
H01L21/205
, H01S5/343
, C23C16/30
, C23C16/18
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA15
, 4K030BA25
, 4K030BA35
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030DA09
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB13
, 5F045AB17
, 5F045AB40
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA53
, 5F045DA56
, 5F045EB15
, 5F173AF09
, 5F173AH29
, 5F173AP06
, 5F173AR81
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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