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J-GLOBAL ID：201302234640574262   整理番号：13A0032801

1ミクロン帯発光広帯域光源を目指したIn-flush法によるInAs量子ドットの作製と光学評価

著者 (5件)： 日野雄司 (和歌山大 シス工) ,  尾崎信彦 (和歌山大 シス工) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 23rd  ページ： 337-340  発行年： 2012年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 光源 ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  広帯域 ,  結晶成長 ,  発光スペクトル ,  放射強度 ,  *光ルミネセンス ,  発光強度 ,  *半導体量子ドット

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広帯域 ,  InAs量子ドット ,  作製 ,  光学 ,  評価