特許
J-GLOBAL ID：201303013341025446
結晶成長方法及び結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 鈴木 壯兵衞
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364018
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165805
特許番号：特許第4876242号
出願日： 2005年12月16日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 1Pa以上の圧力に減圧された反応容器中で基板を成長温度まで加熱し、該成長温度に維持するステップと、
前記減圧された反応容器中で、少なくともZn元素の化合物ガスを含む1又は2以上のII族原料ガスを前記基板の表面に供給するステップと、
前記減圧された反応容器中で、プラズマ発生位置から前記基板の表面までの距離が、イオンの寿命距離がラジカルの寿命距離よりも短くなるように設定して、前記II族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、前記基板の表面に供給するステップ
とを含み、前記圧力に減圧された気相中の反応を利用して、前記基板の表面にp型ZnO系化合物半導体薄膜を成長することを特徴とする結晶成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/365 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 21/365
, H01L 21/205
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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