特許
J-GLOBAL ID：201303046786450088
窒化物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 卓二
, 中野 晴夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214259
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040932
特許番号：特許第4781643号
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面と裏面とを有するシリコン基板と、該シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置であって、
該シリコン基板の裏面上に、窒化物半導体、シリコンカーバイド、窒化ボロン、および酸化亜鉛からなる群から選択される材料からなる高熱伝導性絶縁物質層が設けられたことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
H01S 5/323 610
, H01L 29/80 H
