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J-GLOBAL ID：201702232425145907   整理番号：17A0402510

超薄シリコン3次元積層構造のための裏面損傷に及ぼす銅汚染の挙動【Powered by NICT】

Behavior of copper contamination on backside damage for ultra-thin silicon three dimensional stacking structure

著者 (7件)： Mizushima Yoriko (Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan) ,  Mizushima Yoriko (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Kim Youngsuk (Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan) ,  Kim Youngsuk (Disco Corporation, Ota, Tokyo 143-8580, Japan) ,  Nakamura Tomoji (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan) ,  Uedono Akira (University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Ohba Takayuki (Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 167  ページ： 23-31  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元積層技術のためのウエハ300mmのバンプレス相互接続と超薄膜を研究した。著者らの以前の研究では,<10μm厚素子ウエハを用いた間伐効果を報告した。分解は4μm DRAMウエハでも保持時間では起こらなかった。本研究では,<3μm厚のDRAMウエハ上のCu汚染の挙動を調べた。ウエハは,粗い(#320グリットサイズ)研削と微細(#2000グリットサイズ)研削により薄くした。間伐条件がゲッタリング効果のための残存厚さ200nmの地盤災害を有していた。DRAMウエハを意図的に損傷を受けた層上のCuで汚染されていた,250°C60min加熱の接着と剥離の間に行った。デバイス特性の劣化が見られた。しかし,解析結果は,Cuが薄いSi中に拡散しなかったことを示した。損傷層をもつCuで汚染されたブランケットウエハを調製し,1000°Cでアニールした30minまでした。二次イオン質量分光法,透過型電子顕微鏡と陽電子消滅分光法を評価した。Cuは700°Cのアニールまで200nm損傷層の空格子点型欠陥にトラップされたた。800°Cでのアニール後,CuはSi再結晶のために,損傷を受けた表面に除去された。損傷層のゲッタリング能力である熱安定性に関する3D多レベル積層に適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超薄膜 ,  *銅 ,  熱安定性 ,  焼なまし ,  ゲッタリング ,  DRAM ,  *三次元 ,  *ケイ素 ,  相互接続 ,  陽電子消滅 ,  透過型電子顕微鏡 ,  保持時間 ,  *積層構造 ,  再結晶
準シソーラス用語： *積層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 3D集積化 ,  Wafer-on-wafer ,  極薄化 ,  研削損傷 ,  Cu汚染 ,  陽電子消滅

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  3次元 ,  積層構造 ,  損傷 ,  銅 ,  汚染 ,  挙動