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J-GLOBAL ID：201702275246995248   整理番号：17A0316984

n~+およびp~+Si底部電極上にCeO_xバッファ層を持つ薄いSiO_2層の抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】

Resistive switching properties of a thin SiO₂ layer with CeO_x buffer layer on n⁺ and p⁺ Si bottom electrodes

著者 (6件)： Hadi M.S. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Sugii N. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Wakabayashi H. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Tsutsui K. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Iwai H. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Kakushima K. (Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 63  ページ： 42-45  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p~+とn~+Si底部電極上にCeO_xバッファ層を有する厚さSiO_2の抵抗スイッチング特性を評価した。p~+Si底部電極デバイスセット電圧(V_set)の分布は,4.5Vにおける中心Gauss分布,薄いSiO_2の絶縁破壊の確率的性質を反映することを明らかにした。容量-電圧(C V)測定は,最初のスイッチングサイクル時に0.2VによるC-V曲線をシフトさせる積極的に電子の捕獲を示した。一方,n~+Si底部電極を持つ素子は0.9Vでp~+Si底部電極デバイスのそれよりも高い平均値を持つV_setにおける広い分布を示した。電荷トラッピングはn~+Si底部電極デバイスでは観察されなかったが,界面状態の劣化を確認し,V_set分布の下側の尾を引き起こした。上記の測定に基づいて,V_setの差は,仕事関数差と電子捕獲の寄与によって理解することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正規分布 ,  仕事関数 ,  絶縁破壊 ,  電子捕獲 ,  電圧 ,  表面準位 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *抵抗スイッチング ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  絶縁破壊 ,  仕事関数 ,  界面状態密度

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： バッファ層 ,  スイッチング特性