特許
J-GLOBAL ID:201803001248958296
ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-144759
公開番号(公開出願番号):特開2016-021503
特許番号:特許第6312134号
出願日: 2014年07月15日
公開日(公表日): 2016年02月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】 a) 基板上に非晶質のゲルマニウム層を形成する工程と、
b) 前記形成したゲルマニウム層上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層を形成する工程と、
c) 前記結晶化誘起金属層上に、前記結晶化誘起金属層に応力を印加する応力印加層を、雰囲気温度80°C〜280°Cにてプラズマ蒸着法により形成する工程と、
を含むことを特徴とするゲルマニウム層付き基板の製造方法。
IPC (7件):
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/08 ( 200 6.01)
, C23C 16/22 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, C23C 14/14 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01L 21/20
, C30B 29/08
, C23C 16/22
, H05B 33/14 A
, H01L 21/205
, H01L 21/203 S
, C23C 14/14 G
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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