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J-GLOBAL ID：200902116581413564   整理番号：02A0194490

PrO_xゲート絶縁膜のPLD法による作製

Preparation of PrO_x gate insulators using Pulsed Laser Deposition.

著者 (5件)： 北井聡 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  神田浩文 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 515(SDM2001 183-204)  ページ： 11-16  発行年： 2001年12月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているPrO...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• KINGON, A. I. Nature (London). 2000, 406, 1032
• MANCHANDA, L. IEDM, 2000. 2000, 23
• QI, W. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1704
• WILK, G. D. J. Appl. Phys. 2000, 87, 484
• OSTEN, H. J. IEDM, 2000. 2000, 653

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート絶縁膜 ,  PLD法 ,  作製