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文献
J-GLOBAL ID：200902242014483824
整理番号：05A0079307 PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価
Characterization of Fixed Charge in High-k Dielectric Thin Film by Photoreflectance
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寒川雅之
(大阪大)
, 金島岳
(大阪大)
, 吉田真人
(大阪大)
, 多田泰三
(大阪大)
, 奥山雅則
(大阪大)
, 藤本晶
(和歌山工高専)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
電子情報通信学会技術研究報告 について
巻： 104 号： 510(SDM2004 192-208) ページ： 25-30 発行年： 2004年12月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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High-kゲート絶縁膜としてが注目されているHfO<sub...
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シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*誘電体薄膜
,...
誘電体薄膜 について
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(NC03020K)
, 酸化物薄膜
固体デバイス材料 について
(BK14050P)
酸化物薄膜 について
引用文献 (20件)：
- KINGON, A. I. Nature (London). 2000, 406, 1032
- MANCHANDA, L. Tech. Dig. IEDM2000. 2000, 23
- QI, W. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1704
- WILK, G. D. J. Appl. Phys. 2000, 87, 484
- WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
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PRS
, PRS について
ゲート絶縁膜
, ゲート絶縁膜 について
固定電荷
, 固定電荷 について
評価
評価 について
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