窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：逢坂宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368343
特許番号：特許第3876649号
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性層とキャップ層との間に応力集中抑制層を有し、前記活性層が多重量子井戸構造を有し、そのバリア層がGa1-y1Iny1N(1>y1>0)からなり、前記キャップ層がAlx1Ga1-x1N(1>x1>0)からなり、かつ、前記応力集中抑制層がAlxGa1-x-yInyN(1>x>0,1>y>0,1>x+y>0)からなり、その組成が前記活性層の前記バリア層側から前記キャップ層側に向かって傾斜していることを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：