半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307193
特許番号：特許第3735638号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リッジ形状のストライプを有し、活性層がInGaNからなる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジ形状のストライプはAlGaNクラッド層に設けられており、上記リッジ形状のストライプの両側の部分が、Alx Ga1-x As(0≦x≦1)からなる埋め込み半導体層により埋め込まれており、上記リッジ形状のストライプおよびその両側の上記埋め込み半導体層の上に延在して電極が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：