文献

J-GLOBAL ID：201402247059275671   整理番号：14A1333071

分極接合プラットフォームを用いた窒化ガリウムN/Pトランジスタのワンチップ集積化技術

One-chip integration technology of GaN-based N/P transistors using Polarization-Junction platform

著者 (8件)： 中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  米澤宏昭 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-14  号： 66-80  ページ： 35-39  発行年： 2014年10月30日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 既報において,GaN次世代ワンチップ変換器の基礎として,分極接合(PJ)プラットフォームを提案し,これを用いることにより,分極スーパジャンクション効果を利用したNチャネル型のHFETおよびダイオードを実証してきた。本論では,これらの成果をさらに発展させたNチャネルおよびPチャネル型HFETのワンチップ集積化技術について報告した。また,ホール効果の測定による2次元正孔ガス(2DHG)移動度の評価結果に基いて,Pチャネル型HFETの占有面積をシミュレーションにより試算し,これらの結果より,分極接合プラットフォームを用いたPチャネルおよびNチャネル型GaN-HFETのモノリシック集積化の可能性を立証した。

シソーラス用語： *半導体接合 ,  *分極 ,  窒化ガリウム ,  トランジスタ ,  *集積回路 ,  *電力トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元電子ガス ,  Hall移動度 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  二次元正孔ガス ,  *パワーIC
準シソーラス用語： *パワー集積回路 ,  *HFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heileman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: “High Breakdown GaN HEMT with Over lapping Gate Structure,” IEEE Electron Device Lett., vol. 21, no. 9, pp. 421-423 (2000).
• W. Saito, T. Nitta, Y. Kakiuchi, Y. Saito, K. Tsuda, I. Omura, and M. Yamaguchi: “Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 8, pp. 1825-1830 (2007).
• F. Medjdoub, J. Derluyn, K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, D. Marcon, D. Visalli, M. Van Hove, M. Germain, and G. Borghs: “Low On-Resistance High-Breakdown Normally Off AIN/GaN/AlGaN DHFET on Si Substrate,” IEEE Electron Device Lett., vol. 31 no. 2, pp. 111-113 (2010).
• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida: “GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching Application,” in Proc. IEEE, vol. 98, no. 7, pp. 1151-1161 (2010).
• A. Nakajima, Y. Sumida, M. H. Dhyani, H. Kawai, and E. M. S. Narayanan: “GaN Based Super Heterojunction Field Effect Transistors Using the Polarization Junction Concept,” IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 542-544 (2011).

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  プラットフォーム ,  窒化ガリウム ,  トランジスタ ,  集積化