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J-GLOBAL ID：201502208948664801   整理番号：15A1347434

広い温度範囲で動作するワンチップGaNパワー集積回路技術

GaN-based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature

著者 (9件)： 中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  萱沼怜 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  久保田俊介 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-15  号： 87-105  ページ： 103-107  発行年： 2015年10月29日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siに対して約10倍の出力電力を実現するGaNパワー素子低耐圧p-chHFET,高耐圧n-chHFET等を分極接合プラットフォームを用いてワンチップで作製し,動作を検証した。素子を形成する土台となるGaNウェハとして,2DHGと2DEGを共存させた分極接合プラットフォームを用い,2DHGと2DEGのシート抵抗の温度特性を広い温度範囲で評価した。低耐圧p-ch素子と低耐圧n-ch素子,高耐圧HFETおよびショットキーバリアダイオード(SBD)の4種類の素子をICPエッチング等のプロセスを用いて一括で作製した。100-300Kにおいて安定したワンチップ動作が確認できた。高耐圧素子には,分極スーパージャンクション技術を適用した。

シソーラス用語： 温度依存性 ,  半導体チップ ,  窒化ガリウム ,  *電力トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  *半導体集積回路 ,  正孔 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ウエハ【IC】 ,  シート抵抗 ,  電気試験
準シソーラス用語： *HFET

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (15件)：

• N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: "High Breakdown GaN HEMT with Over lapping Gate Structure," IEEE Electron Device Lett., vol. 21, no. 9, pp. 421-423 (2000).
• W. Saito, T. Nitta, Y. Kakiuchi, Y. Saito, K. Tsuda, I. Omura, and M. Yamaguchi: "Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 8, pp. 1825-1830 (2007).
• F. Medjdoub, J. Derluyn, K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, D. Marcon, D. Visalli, M. Van Hove, M. Germain, and G. Borghs: "Low On-Resistance High-Breakdown Normally Off AlN/GaN/AlGaN DHFET on Si Substrate," IEEE Electron Device Lett., vol. 31 no. 2, pp. 111-113 (2010).
• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida: "GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching Application," in Proc. IEEE, vol. 98, no. 7, pp. 1151-1161 (2010).
• A. Nakajima, Y. Sumida, M. H. Dhyani, H. Kawai, and E. M. S. Narayanan: "GaN Based Super Heterojunction Field Effect Transistors Using the Polarization Junction Concept," IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 542-544 (2011).

タイトルに関連する用語 (3件)： 温度範囲 ,  GaN ,  パワー集積回路