特許
J-GLOBAL ID：201703012391696850
ショットキーバリアダイオード
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (4件)：
平田 忠雄
, 岩永 勇二
, 遠藤 和光
, 伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-169847
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045969
出願日： 2015年08月28日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：
【課題】耐圧特性及びリーク特性に優れる、Ga2O3系のショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、n型の第1のGa2O3系単結晶からなる第1の層10と、n型の第2のGa2O3系単結晶からなり、第1の層10よりも実効ドナー濃度が低い第2の層11と、開口部12aを有する絶縁層12と、絶縁層12の開口部12a内で第2の層11にショットキー接触し、かつ絶縁層12の開口部12a周辺の領域に乗り上げたフィールドプレート13aを有するアノード電極13と、カソード電極14と、を有し、第2の層11の実効ドナー濃度が1.4×1016cm-3以下であり、フィールドプレート13aの長さが10μm以上であり、600V以上の耐圧を有する、ショットキーバリアダイオードを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型の第1のGa2O3系単結晶からなる第1の層と、
n型の第2のGa2O3系単結晶からなり、前記第1の層よりも実効ドナー濃度が低い、前記第1の層に積層された第2の層と、
前記第2の層の前記第1の層と反対側の面上に形成された、開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記開口部内で前記第2の層にショットキー接触し、かつ前記絶縁層の前記開口部周辺の領域に乗り上げたフィールドプレートを有するアノード電極と、
前記第1の層の前記第2の層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、
を有し、
前記第2の層の実効ドナー濃度が1.4×1016cm-3以下であり、
前記フィールドプレートの長さが10μm以上であり、
600V以上の耐圧を有する、
ショットキーバリアダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/872
, H01L 29/41
, H01L 29/47
, H01L 29/06
, H01L 21/329
, H01L 29/24
H01L29/86 301F
, H01L29/44 S
, H01L29/44 Y
, H01L29/48 E
, H01L29/48 D
, H01L29/86 301D
, H01L29/06 301F
, H01L29/06 301V
, H01L29/86 301M
, H01L29/86 301P
, H01L29/24
, H01L29/86 301E
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104FF02
, 4M104FF06
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104HH18
