特許
J-GLOBAL ID：201103055532933253

ショットキーバリアダイオード

発明者：
宮崎 富仁

宮崎 富仁 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-234462
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082392
出願日： 2009年10月08日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】耐圧を向上できるショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード10は、基板と、基板上に形成されたGaN層3と、GaN層3上に接して形成されたショットキー電極4とを備えている。ショットキー電極4は、卑金属で、かつ4×1019cm-3以上の酸素濃度を有する。ショットキーバリアダイオード10において好ましくは、GaN層3とショットキー電極4との界面の炭素のピーク濃度は、1×1019cm-3以上である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された窒化ガリウム層と、 前記窒化ガリウム層上に接して形成されたショットキー電極とを備え、 前記ショットキー電極は、卑金属で、かつ4×1019cm-3以上の酸素濃度を有する、ショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
Fターム (12件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104FF10 ,  4M104GG03 ,  4M104HH17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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