特許
J-GLOBAL ID：201103055532933253
ショットキーバリアダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-234462
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082392
出願日： 2009年10月08日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】耐圧を向上できるショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード10は、基板と、基板上に形成されたGaN層3と、GaN層3上に接して形成されたショットキー電極4とを備えている。ショットキー電極4は、卑金属で、かつ4×1019cm-3以上の酸素濃度を有する。ショットキーバリアダイオード10において好ましくは、GaN層3とショットキー電極4との界面の炭素のピーク濃度は、1×1019cm-3以上である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された窒化ガリウム層と、
前記窒化ガリウム層上に接して形成されたショットキー電極とを備え、
前記ショットキー電極は、卑金属で、かつ4×1019cm-3以上の酸素濃度を有する、ショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104CC03
, 4M104DD78
, 4M104DD86
, 4M104FF10
, 4M104GG03
, 4M104HH17
