特許
J-GLOBAL ID：201803014493773026
3C-SiC単結晶およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-532782
特許番号：特許第6296394号
出願日： 2013年08月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ケイ素(Si)および炭素(C)を含む原料溶液中で、液相成長法によりSiC種結晶の(0001)面に3C-SiC単結晶をステップフロー成長させる結晶成長工程を備え、
前記SiC種結晶は、(0001)面にオフ角が形成された6H-SiCまたは4H-SiCであり、
前記オフ角は(0001)面から[1-100]方向±15°の範囲となるように形成されている3C-SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
