特許
J-GLOBAL ID：200903047039572003

4H-SiC単結晶の製造方法

発明者：
坂元 秀光

坂元 秀光 について

, 
藤原 靖幸

藤原 靖幸 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-095336
公開番号（公開出願番号）：特開2009-249192
出願日： 2008年04月01日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】溶液法により4H-SiC単結晶を安定して平坦成長させることができる4H-SiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Si融液を溶媒とし、これにCを溶解させた溶液から4H-SiC種結晶上に4H-SiC単結晶を成長させる方法において、 上記溶媒として、Si融液にTiとAl、Sn、Geのいずれか1種である元素Xとを添加したSi-Ti-X3元溶媒を用い、4H-SiC種結晶のSi面上に、1780°C以上の成長温度で4H-SiC単結晶を成長させることを特徴とする4H-SiC単結晶の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si融液を溶媒とし、これにCを溶解させた溶液から4H-SiC種結晶上に4H-SiC単結晶を成長させる方法において、 上記溶媒として、Si融液にTiとAl、Sn、Geのいずれか1種である元素Xとを添加したSi-Ti-X3元溶媒を用い、4H-SiC種結晶のSi面上に、1780°C以上の成長温度で4H-SiC単結晶を成長させることを特徴とする4H-SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED01 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71
引用特許：
出願人引用 (7件)
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