化合物単結晶およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：阿仁屋節雄 , 油井透 , 清野仁 , 福岡昌浩 , 奥山知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-238765
公開番号（公開出願番号）：特開2011-084435
出願日： 2009年10月15日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】立方晶{001}面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により2種類の元素A、Bからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素AおよびBに起因する積層欠陥を、表面に平行な<110>方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程(I)と、工程(I)において生じた元素Aに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程(II)と、工程(I)において生じた元素Bに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程(III)と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程(IV)と、を有し、工程(IV)は、工程(II)および(III)と並行して、又は、工程(II)および(III)の後に行う。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

立方晶{001}面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により2種類の元素A、Bからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素AおよびBに起因する積層欠陥を、前記表面に平行な<110>方向にそれぞれ等価に生じさせながら前記化合物単結晶を成長させる工程(I)と、前記工程(I)において生じた元素Aに起因する積層欠陥を、前記反位相領域境界面と会合消滅させる工程(II)と、前記工程(I)において生じた元素Bに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程(III)と、前記反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程(IV)と、を有し、前記工程(IV)は、前記工程(II)および(III)と並行して、又は、前記工程(II)および(III)の後に行うことを特徴とする化合物単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 , C30B 25/18 , C23C 16/42 , C23C 16/52 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/36 A , C30B25/18 , C23C16/42 , C23C16/52 , H01L21/205

Fターム (54件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB10 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB12 , 4G077EC09 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EH06 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TC05 , 4G077TJ05 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB01 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030JA04 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC18 , 5F045AD17 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045DA61 , 5F045GH01

引用特許：

審査官引用 (12件)

炭化珪素膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-288844 出願人：ホーヤ株式会社
半導体及び半導体基板、その製造方法、並びに半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-364009 出願人：HOYAアドバンスドセミコンダクタテクノロジーズ株式会社
化合物結晶およびその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-139926 出願人：ホーヤ株式会社

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