高梨良文

タカナシヨシフミ | Takanashi Yoshifumi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

競争的資金等の研究課題 (2件)：

化合物半導体デバイス・材料
Compound semiconductor devices and materials

MISC (194件)：

Yuta Koreeda, Yutaka Endo, Kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida, Yoshifumi Takanashi. Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2. 2012. 9. 2. 357-360
Yuta Koreeda, Yutaka Endo, Kouichi Sato, Kenya Yoshizawa, Yui Nishio, Hirohisa Taguchi, Tsutomu Iida, Yoshifumi Takanashi. Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2. 2012. 9. 2. 357-360
Satoshi Watanabe, Hiroshi Hyodo, Hirohisa Taguchi, Kohei Soga, Yoshifumi Takanashi, Mutsuyoshi Matsumoto. Calcination- and Etching-Free Photolithography of Inorganic Phosphor Films Consisting of Rare Earth Ion Doped Nanoparticles on Plastic Sheets. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. 2011. 21. 22. 4264-4269
Satoshi Watanabe, Hiroshi Hyodo, Hirohisa Taguchi, Kohei Soga, Yoshifumi Takanashi, Mutsuyoshi Matsumoto. Calcination- and Etching-Free Photolithography of Inorganic Phosphor Films Consisting of Rare Earth Ion Doped Nanoparticles on Plastic Sheets. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. 2011. 21. 22. 4264-4269
Tatsuya Sakamoto, Tsutomu Iida, Shota Kurosaki, Kenji Yano, Hirohisa Taguchi, Keishi Nishio, Yoshifumi Takanashi. Thermoelectric Behavior of Sb- and Al-Doped n-Type Mg2Si Device Under Large Temperature Differences. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 2011. 40. 5. 629-634

書籍 (1件)：

半導体用語大事典
日刊工業 1999

講演・口頭発表等 (73件)：

焼成不要な光リソグラフィーによるフレキシブル希土類発光薄膜の作製とKPFM 観察
(2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012)
Two-Dimensional Patterning of Er3+-Doped Nanoparticles using Photolithography
(UK Colloids 2011 (An International Colloid and Surface Science Symposium) 2011)
Effect of electrode material on the thermoelectric power-generation and durability characteristics of n-type Mg2Si
(EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 2011 Springl Meeting 2011)
Characteristics of PHEMTs and MSM photodetectors simultaneously fabricated on the same epitaxial wafer with In0.75Ga0.25As/InGaAs channel layer
(38th International Symposium on Compound Semiconductors-ISCS 2011 2011)
焼成フリーなフォトリソグラフィーによる希土類含有発光薄膜のプラスチック基板上への作製
(第63回コロイドおよび界面化学討論会 2011)

学位 (1件)：

工学博士 (東京工業大学)

委員歴 (2件)：

1991 - 1993 電子情報通信学会 Cグループ運営委員会特別委員
1990 - 1992 電子情報通信学会電子デバイス研究会幹事

所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , Information and Communication Engineers , The Institute of Electronics

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高梨 良文

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