研究者
J-GLOBAL ID：200901030964938274   更新日: 2024年11月13日

中塚 理

ナカツカ オサム | Nakatsuka Osamu
所属機関・部署：
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学

名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nanoeledev/ ,  http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nanoeledev/e_index.html
研究分野 (1件)： 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件)： 結晶成長 ,  薄膜 ,  固体の表面構造 ,  無機化合物の結晶構造 ,  電気物性:電子伝導 ,  固体デバイス
競争的資金等の研究課題 (17件)：
  • 2021 - 2024 非平衡系IV族混晶薄膜の規則/不規則構造制御に基づくバンドデザイン
  • 2021 - 2023 フィロ珪酸塩鉱物を起源とする新奇低次元物質創製と電子物性制御
  • 2019 - 2022 原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用
  • 2016 - 2019 実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用
  • 2014 - 2019 多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系IV族半導体の工学基盤構築
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論文 (381件)：
  • Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Epitaxial growth of Ge1-x Sn x thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation. Applied Physics Express. 2024
  • Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer. ECS Transactions. 2024
  • Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024
  • Tatsuma Hiraide, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka. Tensile-strained Ge1-x Sn x layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka. (Invited) Epitaxial Growth Technique for Si1-X Sn x Binary Alloy Thin Films. ECS Meeting Abstracts. 2023
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MISC (107件)：
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特許 (15件)：
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書籍 (4件)：
  • 第3章,第3節,Geエピタキシャル成長と薄膜構造制御
    株式会社エヌ・ティー・エス 2013
  • Chapter 1.4: Heterostructure Interfaces and Strain
    CRC Press 2013
  • Chapter 17: Slicide and germanide technology for interconnections in ultra-large-scale integrated (ULSI) applications
    Woodhead Publishing 2011
  • Chapter 8, Silicide in "Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications"
    Springer 2009
講演・口頭発表等 (408件)：
  • Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application
    (13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021))
  • Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer
    (The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT))
  • コンタクト抵抗率低減のための金属/IV族半導体界面制御技術
    (第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020)
  • Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate By Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane
    (Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020))
  • Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design
    (Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020))
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学歴 (2件)：
  • - 2000 名古屋大学 工学研究科 結晶材料工学専攻
  • - 1997 名古屋大学 工学研究科 結晶材料工学専攻
学位 (1件)：
  • 工学(博士) (名古屋大学)
経歴 (15件)：
  • 2017/04/01 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教授(兼務)
  • 2017/04/01 - 現在 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 教授
  • 2016/07/01 - 現在 名古屋大学大学院工学研究科 教授
  • 2016/07/01 - 2017/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ構造デバイス工学 教授
  • 2015/04/01 - 2016/09/30 スタンフォード大学 電気工学科 客員准教授(兼職)
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受賞 (5件)：
  • 2016/04/06 - Japanese Jouranal Applied Physcis APEX/JJAP Editorial Contribution Award
  • 2015/09/28 - SSDM Organizing Committee SSDM Paper Award 2015 Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC
  • 2015/09/17 - ADMETA Committee ADMETA Technical Achievement Award 2014 Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height
  • 2008/05/13 - The fourth International SiGe Technology and Device Meeting ISTDM 2008 Best Poster Award
  • 2006/11/10 - 東京工業大学精密工学研究所 第3回 P&I パテントコンテスト:パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門
所属学会 (4件)：
日本真空協会 ,  日本結晶成長学会 ,  日本表面科学会 ,  応用物理学会
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