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所属機関・部署：
職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/
競争的資金等の研究課題 (4件)：
論文 (141件)：
MISC (8件)：
特許 (22件)：
書籍 (6件)：
講演・口頭発表等 (303件)：
学歴 (2件)：
学位 (2件)：
経歴 (7件)：
委員歴 (23件)：
受賞 (7件)：
所属学会 (3件)：
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名古屋工業大学 大学院 おもひ領域
名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 について
職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/
競争的資金等の研究課題 (4件)：
- 2010 - 現在 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
- 2000 - 現在 電気化学法による半導体の加工
- 1997 - 現在 ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
- 2003 - 2017 アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
- Kongshik Rho, Jun Fujita, Masashi Kato. Controlled Domain in 3C-SiC Epitaxial Growth on Off-Oriented 4H-SiC Substrates for Improvement of Photocathode Performance. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2024. 13. 125002-1-125002-5
- Endong Zhang, Toru Takayoshi, Zhenhua Pan, Masashi Kato. Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: Impact of CoOx cocatalyst loading. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 205303-1-205303-5
- Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato. Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation. Applied Physics Express. 2024. 17. 086503-1-086503-4
- Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato. Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications. Journal of Physics D: Applied Physics. 2024. 57. 305104-1-305104-7
- Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, et al. Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 179. 108461-1-108461-8
- 加藤 正史. パワーデバイス材料SiC の表面再結合速度を数値化. セラミックス. 2020. 55. 9. 699-699
- 加藤 正史. 高耐性セラミックスSiCの新たな応用可能性:人工光合成. セラミックス 第54巻 1月号(2019年). 2019. 54. 1. 36-39
- 加藤 正史. 人はなぜ研究者を続けることができるか. 応用物理. 2017. 86. 6. 505-506
- 加藤 正史. SiC光陰極による人工光合成. ケミカルエンジニヤリング. 2017. 62. 1. 19-23
- 加藤 正史. 半導体を用いた水素生成技術. 応用物理. 2016. 85. 2. 100-104
- 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 炭化珪素半導体装置
- 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
- 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
- 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
- ペロブスカイト太陽電池の開発動向と特性改善 -発電効率向上、長寿命化、耐久性改善 -
(株)技術情報協会 2024 - パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術
(株)R&D支援センター 2024 - 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
(株)エヌ・ティー・エス 2022 - 薄膜の評価技術ハンドブック
株式会社テクノシステム 2013 - SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-
S&T出版 2012 ISBN:9784907002060
-
HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層の深い準位の評価
(先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024) -
ドメイン制御エピタキシャル成長による 3C-SiC 光陰極性能向上
(先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024) -
1 CoOx 助触媒担持による TiO2および SrTiO3単結晶におけるキャリア再結合に及ぼす影響
(先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024) -
4H-SiC 自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンスを用いた再結合過程の評価
(先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024) -
ヘリウムイオン注入による SiC 積層欠陥拡張抑制
(先進パワー半導体分科会 第11回講演会 2024)
- - 2000 名古屋工業大学 工学研究科 電気情報工学専攻
- - 1998 名古屋工業大学 工学部 電気情報工学科
- 博士(工学) (名古屋工業大学)
- Doctor (Engineering) (Nagoya Institute of Technology)
- 2023/04 - 現在 名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 教授
- 2004/04 - 2023/03 名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 准教授
- 2016/07/01 - 2021/03/31 名古屋大学 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター 客員准教授
- 2010/08/23 - 2010/09/17 ヴィリニュス大学 研究員
- 2009/08/18 - 2009/10/02 ヴィリニュス大学 研究員
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- 2024/04 - 現在 中部エレクトロニクス振興会 顧問
- 2024/08 - 2029/09 ICSCRM2026組織委員会 ICSCRM2026組織委員会 委員
- 2025/01 - 2025/12 SSDM2025 Technical Program Committee: Area4 Vice-chair
- 2025/01 - 2025/12 ICSCRM2025 Technical Program Committee
- 2024/06 - 2025/05 ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 programming committee Vice chair
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- 2021/03/16 - 永井科学技術財団 永井技術賞 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
- 2021 - IOP Publishing Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
- 2014/10/21 - MRS-J the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
- 2014/04/15 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)
- 2010/06/19 - 財団法人安藤研究所 安藤博記念学術奨励賞
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※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。
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