研究者
J-GLOBAL ID：201801019877235719   更新日: 2024年05月15日

大島 孝仁

オオシマ タカヨシ | Oshima Takayoshi
所属機関・部署：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


職名： 主任研究員
研究分野 (3件)： 電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件)： 結晶工学 ,  半導体工学 ,  酸化物エレクトロニクス ,  酸化ガリウム
論文 (66件)：
  • Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima. Using selective-area growth and selective-area etching on (-102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches. Applied Physics Letters. 2024. 124. 4. 042110
  • Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Takayuki Harada, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka. Rutile-type GexSn1-xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device applications. Applied Physics Express. 2024. 17. 1. 011008
  • Takayoshi Oshima, Shinji Nakagomi. Epitaxial relationship of NiO on ( 1̅ 02) β-Ga2O3. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12. 128001
  • Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Homoepitaxial growth of (-102) β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 2023. 38. 10. 105003
  • Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga2O3. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 8. 080901
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MISC (3件)：
特許 (22件)：
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講演・口頭発表等 (200件)：
  • Lattice-matching epitaxy of rutile-type GexSn1-xO2 alloy film on TiO2 substrate for device applications
    (Compound Semiconductor Week 2024 2024)
  • Structural characterization of homoepitaxial and NiO heteroepitaxial films, and selective-area-grown/-etched structures on (-102) β-Ga2O3 substrates
    (5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024)
  • Growth of α-(Al,Ga)2O3 films lattice-matched to α-Cr2O3 by mist-CVD
    (5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024)
  • Tackling Disorder in γ-Ga2O3
    (5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024)
  • Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs
    (5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024)
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学歴 (3件)：
  • 2007 - 2010 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程
  • 2005 - 2007 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 修士課程
  • 2001 - 2005 京都大学 工学部 電気電子工学科 学士課程
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (7件)：
  • 2023/04 - 現在 物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主任研究員
  • 2021/11 - 2023/03 物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 主任研究員
  • 2019/04 - 2021/10 株式会社FLOSIFA 研究開発部 主任研究員
  • 2018/04 - 2019/03 佐賀大学 理工学部 電気電子工学科 准教授
  • 2016/02 - 2018/03 佐賀大学 大学院工学系研究科電気電子工学専攻 特任助教
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受賞 (7件)：
  • 2018/03 - 電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞 酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察
  • 2016/02 - 井上科学振興財団 井上リサーチアウォード 酸化ガリウム系半導体の開拓研究とヘテロ接合デバイスへの展開
  • 2014/09 - 東京工業大学大学院理工学研究科 東工大工系若手奨励賞 酸化ガリウム系ヘテロ接合の開発
  • 2012/08 - 東京工業大学研究戦略室 東工大挑戦的研究賞 Ga2O3系新規ワイドギャップ半導体の開拓
  • 2009/09 - 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞 β-Ga2O3基板を用いて作製した炎センサ
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所属学会 (1件)：
応用物理学会
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