研究者
J-GLOBAL ID:200901012084282843   更新日: 2024年02月01日

川江 健

カワエ タケシ | Kawae Takeshi
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  無機材料、物性 ,  複合材料、界面
研究キーワード (4件): 酸化物エレクトロニクス ,  デバイスプロセス ,  高温超伝導デバイス ,  強誘電体デバイス
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2020 - 2023 宇宙空間・廃炉現場での動作を可能とする超低損失パワーFETの創出
  • 2017 - 2020 強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
  • 2014 - 2016 強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明
  • 2012 - 2014 巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
  • 2011 - 2012 低環境負荷金属酸化物を用いた中間バンド半導体薄膜の開発と光電特性
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論文 (42件):
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MISC (12件):
特許 (10件):
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (3件):
  • 2005/04 - 現在 金沢大学 理工研究域
  • 2004 - 2005 : 独立行政法人 物質・材料研究機構 特別研究員
  • 2003 - 2004 : 東北大学流体科学研究所 研究機関研究員
所属学会 (3件):
応用物理学会 ,  日本MRS ,  日本セラミックス協会
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