研究者
J-GLOBAL ID:200901030964938274
更新日: 2024年08月26日
中塚 理
ナカツカ オサム | Nakatsuka Osamu
所属機関・部署:
職名:
教授
ホームページURL (2件):
http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nanoeledev/
,
http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nanoeledev/e_index.html
研究キーワード (6件):
結晶成長
, 薄膜
, 固体の表面構造
, 無機化合物の結晶構造
, 電気物性:電子伝導
, 固体デバイス
競争的資金等の研究課題 (17件):
- 2021 - 2024 非平衡系IV族混晶薄膜の規則/不規則構造制御に基づくバンドデザイン
- 2021 - 2023 フィロ珪酸塩鉱物を起源とする新奇低次元物質創製と電子物性制御
- 2019 - 2022 原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用
- 2016 - 2019 実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用
- 2014 - 2019 多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系IV族半導体の工学基盤構築
- 2015 - 2018 新規IV族系二次元物質の創製
- 2015 - 2018 フェルミレベルピニング軽減による金属/ゲルマニウム系材料低抵抗コンタクト
- 2010 - 2013 省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生
- 2009 - 2011 シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術
- 2006 - 2009 Geエレクトロニクスに向けた低抵抗・超平坦金属/Geコンタクト形成技術
- 2006 - 2009 ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成
- 2006 - 2008 非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成
- 2004 - 2006 超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御
- 2003 - 2005 IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
- 2001 - 2003 異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究
- 1999 - 2003 人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発
- 2000 - 2002 界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
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論文 (379件):
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Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024
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Tatsuma Hiraide, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka. Tensile-strained Ge1-x Sn x layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka. (Invited) Epitaxial Growth Technique for Si1-X Sn x Binary Alloy Thin Films. ECS Meeting Abstracts. 2023
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Jotaro Nagano, Shota Ikeguchi, Takuma Doi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama. Emergence of ferroelectricity in ZrO2 thin films on TiN/Si featuring high temperature sputtering method. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023
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Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Self-organized Ge1-x Sn x quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
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MISC (107件):
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Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Shibayama Shigehisa, Zaima Shigeaki, Nakatsuka Osamu. Ultra-low resistance contact for n-type Ge[1-x]Sn[x] with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2019. 119. 96. 5-9
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Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa. Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates. 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings. 2018. 310-312
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Osamu Nakatsuka, Akihiro Suzuki, James McVittie, Yoshio Nishi, Shigeaki Zaima. Formation of epitaxial Hf germanide/Ge contacts for Schottky barrier height engineering. 17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017. 2017. 47-48
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中塚 理, 渡部 佳優, 鈴木 陽洋, 西 義雄, 財満 鎭明. 招待講演 低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 450. 11-15
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志村 洋介, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 黒澤 昌志, 中塚 理, 財満 鎭明. 招待講演 Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (有機エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 2. 23-26
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特許 (15件):
書籍 (4件):
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第3章,第3節,Geエピタキシャル成長と薄膜構造制御
株式会社エヌ・ティー・エス 2013
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Chapter 1.4: Heterostructure Interfaces and Strain
CRC Press 2013
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Chapter 17: Slicide and germanide technology for interconnections in ultra-large-scale integrated (ULSI) applications
Woodhead Publishing 2011
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Chapter 8, Silicide in "Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications"
Springer 2009
講演・口頭発表等 (408件):
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Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application
(13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021))
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Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer
(The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT))
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コンタクト抵抗率低減のための金属/IV族半導体界面制御技術
(第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020)
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Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate By Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane
(Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020))
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design
(Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020))
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学歴 (2件):
- - 2000 名古屋大学 工学研究科 結晶材料工学専攻
- - 1997 名古屋大学 工学研究科 結晶材料工学専攻
学位 (1件):
経歴 (15件):
- 2017/04/01 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 教授(兼務)
- 2017/04/01 - 現在 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 教授
- 2016/07/01 - 現在 名古屋大学大学院工学研究科 教授
- 2016/07/01 - 2017/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 ナノ構造デバイス工学 教授
- 2015/04/01 - 2016/09/30 スタンフォード大学 電気工学科 客員准教授(兼職)
- 2010/10/01 - 2016/06/30 名古屋大学大学院工学研究科・准教授
- 2010/10/01 - 2016/06/30 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 准教授
- 2007/05/01 - 2010/09/30 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 講師
- 2007/05/01 - 名古屋大学大学院工学研究科・講師
- 2007/04/01 - 2007/04/30 名古屋大学 エコトピア科学研究所 ナノマテリアル科学研究部門 助教
- 2004/04/01 - 2007/04/30 名古屋大学エコトピア科学研究機構(2005年4月よりエコトピア科学研究所)助手
- 2004/04/01 - 2007/04/30 名古屋大学エコトピア科学研究機構(2005年4月よりエコトピア科学研究所)助手 エコトピア科学研究所 ナノマテリアル科学研究部門 助手
- 2006/01 - 財団法人 高輝度光科学研究センター 外来研究員(兼職)
- 2001/06 - 2004/03 名古屋大学理工科学総合研究センター助手
- 2000/04 - 2001/05 京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー非常勤研究員
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受賞 (5件):
- 2016/04/06 - Japanese Jouranal Applied Physcis APEX/JJAP Editorial Contribution Award
- 2015/09/28 - SSDM Organizing Committee SSDM Paper Award 2015 Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC
- 2015/09/17 - ADMETA Committee ADMETA Technical Achievement Award 2014 Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height
- 2008/05/13 - The fourth International SiGe Technology and Device Meeting ISTDM 2008 Best Poster Award
- 2006/11/10 - 東京工業大学精密工学研究所 第3回 P&I パテントコンテスト:パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門
所属学会 (4件):
日本真空協会
, 日本結晶成長学会
, 日本表面科学会
, 応用物理学会
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