特許
J-GLOBAL ID：200903082695259109

半導体ウェーハの製造方法

発明者：
二宮 正晴

二宮 正晴 について

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松本 光二

松本 光二 について

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中前 正彦

中前 正彦 について

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宮尾 正信

宮尾 正信 について

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佐道 泰造

佐道 泰造 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について

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国立大学法人九州大学

国立大学法人九州大学 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026257
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216661
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 比較的単純な積層構造で、十分な引張り歪みを有し、かつ結晶欠陥の少ない歪みSi層が形成された半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】(a) シリコンウェーハ11表面にSiGe混晶層12及び第1Si層13をこの順に形成する工程、(b) 第1Si層の表層又は支持ウェーハ14の表層の一方又はその双方にSiO2層16を形成する工程、(c) シリコンウェーハと支持ウェーハをSiO2層を介して重ね合せて積層体17を形成する工程、(d) 積層体のシリコンウェーハを薄膜化して第2Si層18とする工程、(e) 所定の領域にイオン濃度のピークが位置するように水素又は希ガスのイオンを注入する工程、(f) 積層体を第1熱処理する工程、(g) 第1熱処理に続いて第2熱処理してSiGe混晶層を緩和させるとともに第1Si層と第2Si層の一部にGeを拡散する工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a) シリコンウェーハ(11)表面にSiGe混晶層(12)及び第1Si層(13)をこの順に形成する工程と、 (b) 前記第1Si層(13)の表層又は前記シリコンウェーハ(11)とは別に用意した支持ウェーハ(14)の表層のいずれか一方又はその双方にSiO2層(16)を形成する工程と、 (c) 前記シリコンウェーハ(11)と前記支持ウェーハ(14)をSiO2層(16)を介して重ね合せることにより積層体(17)を形成する工程と、 (d) 前記積層体(17)のシリコンウェーハ(11)を所定の厚さに薄膜化することにより第2Si層(18)とする工程と、 (e) 第1Si層(13)とSiO2層(16)の界面及び前記第1Si層(13)側の界面近傍の双方を含む領域にイオン濃度のピークが位置するように水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも1つを注入する工程と、 (f) 前記積層体(17)を窒素又はArガスを含む不活性ガス雰囲気下、450〜600°Cで15〜600分間保持して第1熱処理する工程と、 (g) 前記第1熱処理に続いて800〜1000°Cで15〜300分間保持して第2熱処理することにより前記SiGe混晶層(12)を緩和させるとともに前記第1Si層(13)と前記第2Si層(18)の一部にGeを拡散する工程と を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/265
FI (6件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 X ,  H01L21/26 F ,  H01L21/265 W
Fターム (20件)：
5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LN02 ,  5F152LN05 ,  5F152LN08 ,  5F152LN15 ,  5F152LN21 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN16 ,  5F152NN27 ,  5F152NP04 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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