特許

J-GLOBAL ID：200903076075567776

歪シリコンSOI基板の製造方法

発明者： 垣本 勝己 ,  二宮 正晴 ,  中前 正彦 ,  松本 光二 ,  鴻上 肇 ,  塩野 一郎 ,  宮尾 正信 ,  佐道 泰造
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157398
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363197
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】少なくとも埋め込み酸化膜から歪シリコン層までの距離が十分に短く、かつ中間層であるSiGe層が完全に歪緩和した半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】SOI基板上に設定した濃度のGeを含むSiGeエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成した後で、SOI基板の埋め込み酸化膜とSi層との界面に水素原子を注入した後で酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を1回以上行ない、次に酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成する事を特徴とする歪シリコンSOI基板の製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SOI基板上に設定した濃度のGeを含むSiGeエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成した後で、SOI基板の埋め込み酸化膜とSi層との界面に水素原子を注入した後で酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を1回以上行ない、次に酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成する事を特徴とする歪シリコンSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L27/12 E ,  H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B

Fターム (14件)：

5F052KA01 ,  5F052KB05 ,  5F110AA30 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-323914   出願人：シャープ株式会社
• SiGeオンインシュレータ基板材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274987   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-346561   出願人：株式会社東芝
• 十分に格子緩和された高品質SiGeオン・インシュレータ基板材料を製造する方法、基板材料、およびヘテロ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-158994   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置用基板の製造方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-211801   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置、半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-254958   出願人：株式会社東芝
• 疑似基板構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246426   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135037   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Fabrication of SiGe-on-Insulator through Thermal Diffusion of Ge on Si-on-Insulator Substrate"