半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142537
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327808
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】光デバイス材料として採用されている二-六族化合物半導体及び三-五族化合物半導体は、シリコン集積回路のデバイス特性を変化させる要因となるために、シリコン集積回路製作においては排除されるべき材料とされている。シリコン集積回路と同一基板上に光デバイスを製作・集積化し、光による情報伝送を可能とする半導体デバイスを提供する。【解決手段】シリコン集積回路と同一基板上に四族半導体材料を用いた発光・受光デバイスを製作し、デバイス間を光伝送路で接続することで光による情報伝送を可能とする半導体デバイスが得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電気信号を光信号に変換する発光デバイスと、光信号を電気信号に変換する受光デバイスと、これら発光デバイスおよび受光デバイスを表面上に搭載配置した半導体基板とを、同一主成分の半導体材料で構成したことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L27/14 , H01L31/12

FI (2件)：

H01L27/14 Z , H01L31/12 B

Fターム (14件)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118FC02 , 4M118FC18 , 4M118GA09 , 5F089AA06 , 5F089AB08 , 5F089AB09 , 5F089AC02 , 5F089AC05 , 5F089AC16

引用特許：

出願人引用 (1件)

サブバンド間発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060542 出願人：東北大学長

審査官引用 (6件)

4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-200259 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-191572
光導波路付き半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016142 出願人：株式会社日立製作所

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