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J-GLOBAL ID：200902164051653305   整理番号：01A0160482

MOCVDで成長させたGaInNAs/GaAsにおける光学品質の成長速度依存性

Optical Quality Dependence on Growth Rate for Metalorganic Chemical Vapor Deposition Grown GalnNAs/GaAs.

著者 (7件)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SCHLENKER D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 12A  ページ： L1219-L1220  発行年： 2000年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 39%までのIn組成を持つGaInNAs/GaAs量子井戸を...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (9件)：

• 1) K. Iga: IPRM’96, ThA1-1 (1996).
• 2) T. Miyamoto, T. Takada, F. Koyama and K. Iga: OSA Tech. Dig. Ser. 9 (1997) 126.
• 3) M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 4) F. Hohnsdorf, J. Koch, S. Leu, W. Stolz, B. Borchert and M. Druminski: Electron. Lett. 35 (1999) 571.
• 5) S. Sato and S. Satoh: IEEE Photon. Technol. Lett. 6 (1999) 1560.

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  成長 ,  GaInNAs ,  GaAs ,  光学品質 ,  速度依存性