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J-GLOBAL ID：200902166929331840   整理番号：01A0403636

極微構造集積デバイス・プロセス技術 デバイス特性によるSiナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善

Supermicrostructure Integrated Devices and Process Technologies. Evaluation of Si Nanowires through Device Characteristics and Improvement in Uniformity of Si Nanowire Width Using Self-limiting Oxidation.

著者 (6件)： 堤利幸 (電総研) ,  鈴木英一 (電総研) ,  石井賢一 (電総研) ,  金丸正剛 (電総研) ,  広島洋 (電総研) ,  冨沢一隆 (明治大)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 121-C  号： 3  ページ： 515-523  発行年： 2001年03月01日 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本来単電子メモリとして動作するように設計したSiナノ細線デバ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• GUO, L. A room-temperature silicon single-electron metal-oxide-semiconductor memory with nanoscale floaating and ultranarrow. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 850-852
• NAKAJIMA, A. Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1742-1744
• ALEE, D. R. Direct nanometer scale patterning of SiO_2 with electron beam irradiation through a sacrificial layer. Appl. Phys. Lett. 1990, 2271-2273
• HIROSHIMA, H. Cheracteristics of SiO_2 as a High-Resolution Electron Beam Resist. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 1993, 32, 6153-6157
• HIROSHIMA, H. Nanobeam process system: An ultrahigh vacuum electron beam lithography system with 3 nm probe size. J. Vac. Sci. Technol. 1995, B 13, 2514-2517

タイトルに関連する用語 (10件)： 集積デバイス ,  プロセス ,  デバイス特性 ,  Si ,  ナノ細線 ,  評価 ,  自己 ,  抑止 ,  酸化 ,  細線