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J-GLOBAL ID：200902237731835529   整理番号：05A1019040

EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報)-加工表面の原子像観察と構造評価-

Flattening of Si(001) Surface by EEM (Elastic Emission Machining)-Atomic Structure Identification of Processed Surface-

著者 (7件)： 山内和人 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三村秀和 (大阪大 大学院工学研究科) ,  久保田章亀 (大阪大 大学院工学研究科) ,  有馬健太 (大阪大 大学院工学研究科) ,  稲垣耕司 (大阪大 大学院工学研究科) ,  遠藤勝義 (大阪大 大学院工学研究科 超精密科学研究セ) ,  森勇蔵 (大阪大 大学院工学研究科 超精密科学研究セ)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 70  号： 4  ページ： 547-551  発行年： 2004年04月05日 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： EEM(Elastic Emission Machining...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： Elastic Emission Machining ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (29件)：

• KAGESHIMA, H. First-Principles Study of Oxide Growth on Si(100) Surfaces and at SiO_2/Si(100) Interfaces. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 5936
• NAKAGAWA, Y. Scanning tunneling microscopy of silicon surfaces in air Observation of atomic images. J. Vac. Sci. Technol. 1990, A8, 262
• TAKAHAGI, T. The formation of hydrogen passivated silicon single-crystal surfaces using ultraviolet cleaning and HF etching. J. Appl. Phys. 1988, 64, 3516
• ENDO, K. Atomic structures of hydrogen-terminated Si(001) surfaces after wet cleaning by scanning tunneling microscopy. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1853
• ARIMA, K. Atomically resolved scanning tunneling microscopy of hydrogen-terminated Si(001) surfaces after HF cleaning. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 463

タイトルに関連する用語 (7件)： EEM ,  Si ,  平坦化 ,  加工表面 ,  原子 ,  観察 ,  構造評価