パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長

小前泰彰; 齋藤健; 末光眞希; 伊藤隆; 遠藤哲郎; 中澤日出樹; 成田克; 高田雅介; 安井寛治; 赤羽正志

文献

J-GLOBAL ID：200902238574687851 整理番号：08A1183373

パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of III-V nitride semiconductor films by pulse-mode hot-mesh CVD

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=08A1183373&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=08A1183373&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 108 号： 269(CPM2008 75-88) ページ： 7-12 発行年： 2008年10月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

紫外・青紫LED,LD,また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において原料ガスの間欠供給及びメッシュのパルス加熱がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでルテニウム(Ru)を坦持したメッシュ状タングステン(W)を用いたホットメッシュCVD法により,メッシュ温度1100°Cにおいて良好な結晶性と深い順位からの発光が無く強いバンド端発光を示すGaN膜の成長に成功している。今回,気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか,アンモニア及びアルキル金属原料ガスをパルス供給させ成長を行った。また,Wメッシュ上でアンモニアの吸着・分解・脱離をパルス的に行い基板に供給することでGaNの特性にどのような影響が生じるか調べた。結果,TMGをパルス供給させアンモニアを連続供給させた場合においてGaNの結晶性,発光特性ともに優れた膜が得られた。また,メッシュのパルス加熱によるGaN成長においては結晶性の改善を見出せなかった。(著者抄録)

, , , , , , , , , , , , ,

固体デバイス製造技術一般 , 固体デバイス材料 , 薄膜成長技術・装置

引用文献 (11件)：

赤碕勇編著. III-V族窒化物半導体. 1994
AMANO, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353-355
AKASAKI, I. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Gal-xAlxN (0<x≦0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE. J. Cryst. Growth. 1989, 98, 209-219
NAKAMURA, S. High-Power, Long-Lifetime InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Grown on Pure GaN Substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L309-L321
ZHANG, B. S. OPTICAL PROPERTIES OF GaN GROWN ON Si (111) SUBSTRATES BY MOCVD. Inter. J. Modern. Phys. 2005, 19, 15/17, 2610-2615

, ,

前のページに戻る