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J-GLOBAL ID：200902238574687851   整理番号：08A1183373

パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of III-V nitride semiconductor films by pulse-mode hot-mesh CVD

著者 (10件)： 小前泰彰 (長岡技科大) ,  齋藤健 (長岡技科大) ,  末光眞希 (東北大 電通研) ,  伊藤隆 (東北大 電通研) ,  遠藤哲郎 (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  中澤日出樹 (弘前大 理工) ,  成田克 (九州工大 工) ,  高田雅介 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大) ,  赤羽正志 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 269(CPM2008 75-88)  ページ： 7-12  発行年： 2008年10月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 紫外・青紫LED,LD,また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において原料ガスの間欠供給及びメッシュのパルス加熱がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでルテニウム(Ru)を坦持したメッシュ状タングステン(W)を用いたホットメッシュCVD法により,メッシュ温度1100°Cにおいて良好な結晶性と深い順位からの発光が無く強いバンド端発光を示すGaN膜の成長に成功している。今回,気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか,アンモニア及びアルキル金属原料ガスをパルス供給させ成長を行った。また,Wメッシュ上でアンモニアの吸着・分解・脱離をパルス的に行い基板に供給することでGaNの特性にどのような影響が生じるか調べた。結果,TMGをパルス供給させアンモニアを連続供給させた場合においてGaNの結晶性,発光特性ともに優れた膜が得られた。また,メッシュのパルス加熱によるGaN成長においては結晶性の改善を見出せなかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  ルテニウム ,  *化学蒸着 ,  *エピタクシー ,  窒化物 ,  半導体 ,  アンモニア ,  触媒 ,  有機金属化合物 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  結晶度
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  発光特性

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (11件)：

• 赤碕勇編著. III-V族窒化物半導体. 1994
• AMANO, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353-355
• AKASAKI, I. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Gal-xAlxN (0
• NAKAMURA, S. High-Power, Long-Lifetime InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Grown on Pure GaN Substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L309-L321
• ZHANG, B. S. OPTICAL PROPERTIES OF GaN GROWN ON Si (111) SUBSTRATES BY MOCVD. Inter. J. Modern. Phys. 2005, 19, 15/17, 2610-2615

タイトルに関連する用語 (3件)： CVD法 ,  窒化物半導体 ,  エピタキシャル成長