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J-GLOBAL ID:200902246546548970   整理番号:08A0996357

磁場支援陽極酸化を用いたシリコンにおける100nmスケール周期構造の形成機構

Formation Mechanism of 100-nm-Scale Periodic Structures in Silicon Using Magnetic-Field-Assisted Anodization
著者 (14件):
資料名:
巻: 47  号: 9 Issue 1  ページ: 7398-7402  発行年: 2008年09月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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磁場支援陽極酸化を用いた,間隙壁にスパイキングの無いアスペクト比160の直径100nmのシリコンにおける高指向性エッチングを実証した。シリコン電極の表面形状とその高指向性エッチング特性との間の関係を研究した。とくに,間隙形状及び間隙壁配向が,表面パターンによってはではなく,磁場支援陽極酸化に特殊なエッチング機構により決定されることを示した。これらのエッチング機構は,100nmスケール以下の直径での高指向性及び高アスペクト比エッチングを可能にした。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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