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J-GLOBAL ID：200902247782521834   整理番号：09A0713475

電子ビームリソグラフィーにおけるフォギング電子のシミュレーション

Simulation of Fogging Electrons in Electron Beam Lithography

著者 (2件)： KOTERA Masatoshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAEKAWA Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 6,Issue 2  ページ： 06FB05.1-06FB05.4  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 試料室の中のフォギング電子軌跡のシミュレーションモデルを,電子ビームリソグラフィーにおけるそれらの効果を定量化するために開発する。フォギング電子によってデポジットされるエネルギーの量は,後方散乱される電子によるそれよりほぼ6桁低い。曝露強度分布を,パワーの半径への依存性を考慮する方程式を用いて表現する。フォギング電子の半径領域は数メートルであり得る。従ってもし電子ビーム曝露面積が大きければ,蓄積する背景エネルギーは,後方散乱電子によりデポジットされるエネルギーに匹敵することを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  電子 ,  軌跡 ,  シミュレーション ,  シミュレーションモデル ,  エネルギー ,  後方散乱 ,  曝露 ,  分布 ,  強度 ,  半径

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• T. H. P. Chang: J. Vac. Sci. Technol.12(1975)1271.
• S. Aya, T. Hifumi, K. Kise, and K. Marumoto: J. Vac. Sci. Technol. B 20(2002)90.
• H. Kobinata, Y. Yamada, T. Tamura, K. Fujii, M. Narihiro, and Y. Ochiai: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)3816.
• K. K. Christenson, R. G. Viswanathan, and F. J. Hohn: J. Vac. Sci. Technol. B 8(1990)1618.
• M. Ogasawara, N. Shimomura, J. Takamatsu, S. Yoshitake, K. Ooki, N. Nakayamada, H. Okabe, T. Tojo, and T. Takigawa: J. Vac. Sci. Technol. B 17(1999)2936.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィー ,  フォギング ,  電子 ,  シミュレーション