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J-GLOBAL ID：200902253768984694   整理番号：09A1257133

組成的に傾斜したSiGeのバルク結晶の成長とGe含有量の横方向変化をもつ基板としてのその応用

Growth of Compositionally Graded SiGe Bulk Crystal and Its Application As Substrate with Lateral Variation in Ge Content

著者 (3件)： NIHEI Ryota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKAJIMA Kazuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 11  ページ： 115507.1-115507.4  発行年： 2009年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは成長温度を徐々に変化させることによってx=0.6-1の傾斜Ge含有量をもつバルクなSi_1-xGe_x単結晶を実現した。そしてSi_0.27Ge_0.73のエピタキシャル成長のためにGe含有量の横方向変化をもつ基板としてそれを利用した。これは単一サンプル中の膜と基板の間の格子不整合における系統的な変化を可能にする。実際,SiGeエピタキシャル膜の表面形態の系統的変化は応力の符号と量に依存することが観測された。これは,合金含有量における横方向変化をもつ基板として組成傾斜バルク結晶を利用する筆者らの技術が材料研究のために有用であることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素合金 ,  *ゲルマニウム含有合金 ,  結晶成長 ,  *単結晶 ,  含有量 ,  *半導体 ,  *傾斜機能材料 ,  *Bridgman法
準シソーラス用語： SiGe ,  エピタキシャル成長 ,  組成傾斜

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (22件)：

• K. Nakajima, T. Ujihara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, and T. Shishido: J. Cryst. Growth 260(2004)372.
• D. J. Eaglesham and M. Cerullo: Phys. Rev. Lett.64(1990)1943.
• D. J. Eaglesham, H. J. Gossmann, and M. Cerullo: Phys. Rev. Lett.65(1990)1227.
• G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams: Science 279(1998)353.
• A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D. G. Cahill, and J. E. Greene: Phys. Rev. Lett.85(2000)3672.

タイトルに関連する用語 (8件)： 組成 ,  SiGe ,  バルク結晶 ,  成長 ,  Ge ,  含有量 ,  横方向 ,  応用