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J-GLOBAL ID：200902254970937122   整理番号：07A0675033

非断熱近接場光学CVDを用いて作製されたZnナノドットの初期成長過程

Initial Growth Process of a Zn Nanodot Fabricated using Nonadiabatic Near-field Optical CVD

著者 (5件)： KAWAZOE Tadashi (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  KAWAZOE Tadashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Kiyoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTSU Motoichi (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  OHTSU Motoichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 20  号： 1  ページ： 129-131  発行年： 2007年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非断熱近接場光学CVD(NFO-CVD)を用いて繊維状プロー...

シソーラス用語： *光学 ,...
準シソーラス用語： *ナノドット ,...

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分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 2アセチルアセトン・亜鉛

引用文献 (7件)：

• D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett., 63(1993)3203.
• T. Tsutsui, K. Kawasaki, M. Mochizuki, and T. Matsubara, Microelectron. Eng., 47(1999)135.
• S. Kohmoto, H. Nakamura, T. Ishikawa, and K. Asakawa, Appl. Phys. Lett., 75(1999)3488.
• E. Kuramochi, J. Temmyo, T. Tamamura, and H. Kamada, Appl. Phys. Lett., 71(1997)1655.
• T. Kawazoe, Y. Yamamoto, and M. Ohtsu, Appl. Phys. Lett., 79(2001)1184.

タイトルに関連する用語 (7件)： 近接場光学 ,  CVD ,  作製 ,  Zn ,  ナノドット ,  初期 ,  成長過程