分子線エピタクシーで成長させたAlGaAs層における酸素取込み機構

文献

J-GLOBAL ID：200902273751595474 整理番号：03A0439062

Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy

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巻： 254 号： 3/4 ページ： 310-315 発行年： 2003年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

成長温度,成長速度そしてAlAsモル分率を変えて標記の取込み...

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半導体薄膜

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