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J-GLOBAL ID：200902278537678909   整理番号：04A0211841

分子線エピタクシーによって成長したGaInAsSb被覆(Ga)InAs量子ドットの発光波長の長波長化

Elongation of Emission Wavelength of GaInAsSb-Covered (Ga)InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (7件)： MATSUURA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAGEYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTA M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUI Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FURUHATA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 1A/B  ページ： L82-L84  発行年： 2004年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きくひずんだGaInAsSb被覆層を用いて(Ga)InAs...

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (11件)：

• 1) A. F. Phillips, S. J. Sweeney, A. R. Adams and P. J. A. Thijs: IEEE Sel. Topics Quantum Electron. 5 (1999) 401.
• 2) R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard and J. E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3795.
• 3) H. Saito, K. Nishi, S. Sugou and Y. Sugimoto: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 590.
• 4) H. Y. Liu, X. D. Wang, J. Wu, B. Xu, Y. Q. Wei, W. H. Jiang, D. Ding, X. L. Ye, F. Lin, J. F. Zhang, J. B. Liang and Z. G. Wang: J. Appl. Phys. 88 (2000) 3392.
• 5) H. Y. Liu and M. Hopkinson: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3644.

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  Ga ,  InAs量子ドット ,  波長 ,  長波