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J-GLOBAL ID：200902289982658251   整理番号：03A0506424

一定の流量のArと共にCH₄/H₂/ArとO₂を周期的に注入することによるIII-V半導体の電子サイクロトロン共鳴反応性イオンエッチング

Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of III-V Semiconductors by Cyclic Injection of CH₄/H₂/Ar and O₂ with Constant Ar Flow

著者 (8件)： HANEJI N (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SEGAMI G (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  IDE T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SUZUKI T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ARAKAWA T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMOGAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 6B  ページ： 3958-3961  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の方法は,ArイオンエッチングによってAl層を除去できる...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (10件)：

• 1) T. Matsui, H. Sugimoto, T. Ohishi, Y. Abe, K. Ohtsuka and H. Ogata: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1193.
• 2) M. M. Raj, S. Toyoshima and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L811.
• 3) T. Morita, T. Arai, H. Nagatsuka, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L121.
• 4) H. Sugimoto, T. Isu, H. Tada, T. Miura, T. Shiba, T. Kimura and A. Takemoto: J. Electrochem. Soc. 140 (1993) 3615.
• 5) T. Suzuki, N. Haneji, K. Tada, Y. Shimogaki and Y. Nakano: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 15.

タイトルに関連する用語 (8件)： 流量 ,  Ar ,  H2 ,  O2 ,  注入 ,  III-V半導体 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  反応性イオンエッチング