文献

J-GLOBAL ID：200902299287907122   整理番号：05A0719767

一定のAr流でCH₄/H₂/ArとO₂のサイクル注入によりGaNの電子サイクロトロン共鳴の反応性イオンエッチングで改良されたエッチングされた表面形態

Improved Etched Surface Morphology in Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH₄/H₂/Ar and O₂ with Constant Ar Flow

著者 (9件)： ARAKAWA Taro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  AWA Yoshiki (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  IDE Tomoyoshi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA Kunio (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Hiromasa (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7B  ページ： 5819-5823  発行年： 2005年07月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₄/H₂/A...

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (18件)：

• 1) I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. A. Khan, D. T. Olsen and J. N. Kuznia: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2777.
• 2) M. E. Lin, Z. F. Zan, Z. Ma, L. H. Allen and H. Morkos: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 887.
• 3) A. T. Ping, I. Adesida, M. A. Khan and J. N. Kuznia: Electron. Lett. 30 (1994) 1895.
• 4) H. Lee, D. B. Oberman and J. S. Harris, Jr.: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1754.
• 5) D. Basak, K. Yamashita, T. Sugahara, Q. Fareed, D. Nakagawa, K. Nishino and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2646.

タイトルに関連する用語 (10件)： Ar ,  H2 ,  O2 ,  サイクル ,  注入 ,  GaN ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  反応性イオンエッチング ,  エッチング ,  表面形態