半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243908
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】マッチング回路等の回路のワンチップ化のためインダクタやコンデンサ等の高周波部品を半導体集積回路上に取り込んでも、その高周波部品の高周波特性を損失の少ない優れたものとする。【解決手段】半導体集積回路10は、マッチング回路を構成する高周波部品11をシリコン酸化膜14上の備える。P型半導体基板12上に形成されたN型エピタキシャル層13には、表層部にP型拡散層15が形成され、下層部に埋没層16が形成されている。埋没層16はN型エピタキシャル層13より低濃度のN型の半導体層からなる。高周波部品11からグランド電極GNDに高周波信号が抜ける回路の等価回路は、拡散層15とエピタキシャル層13間の接合容量Cp-epiが追加されるとともに、埋没層16の存在によってエピタキシャル層13と半導体基板12間の接合容量Cbur-subの値が小さくなっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に位置する絶縁膜上に高周波部品が作製され、前記高周波部品と前記半導体基板の底面とに挟まれた領域内に、前記高周波部品から前記半導体基板の底面に設けられた電極面へ高周波信号が抜ける抜け道となる回路のインピーダンスを高くする損失抑制部が設けられていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Fターム (15件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC08 , 5F038AC12 , 5F038AC15 , 5F038AR02 , 5F038AR14 , 5F038AZ01 , 5F038AZ04 , 5F038CA02 , 5F038DF01 , 5F038DF02 , 5F038EZ12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (12件)

集積インダクタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-156353 出願人：プレッシーセミコンダクターズリミテッド
コイル構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148581 出願人：ソニー株式会社
特開平1-198072

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