特許
J-GLOBAL ID：200903000272907310
半導体研磨用スラリー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076332
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288732
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】従来の半導体研磨用スラリーにおいて使用されるヨウ素酸カリウムなどのヨウ素を含む酸化剤は、金属膜特にタングステン膜を脆弱化する能力に優れているものの、その安定性を考慮して、その能力が最大限に発揮されないpH4付近で使用されてきた。したがって、従来の半導体研磨用スラリーは、金属膜の研磨能力には優れているけれども、研磨速度は満足できる水準には達していなかった。【解決手段】シリカとして非真球状コロイダルシリカを用い、さらにヨウ素酸カリウムなどのヨウ素含有酸化剤とともに有機酸を用いる。それによって、スラリーのpHを2〜3に調整しても、ヨウ素酸カリウムなどの酸化剤がスラリー中に安定に存在し、その金属膜を脆弱化する能力が最大限に発揮され、非真球状コロイダルシリカの機械的研磨能力とも相俟って、高い研磨能力および研磨速度を有する半導体研磨用スラリーを得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非真球状コロイダルシリカ、酸化剤および有機酸を含有し、残部が水であることを特徴とする半導体研磨用スラリー。
IPC (3件)：
H01L21/304
, C09K3/14
, C09K13/06
H01L21/304 622D
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
, C09K13/06 101
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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