特許
J-GLOBAL ID：200903000339036069

スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
松原 雅人

松原 雅人 について

, 
笘井 重和

笘井 重和 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132621
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314734
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたTFT(薄膜トランジスタ)基板の製造方法を提供することである。【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pdからなる第1金属群M1から選ばれた1種又は2種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第2金属群M2から選ばれた1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極7等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、TFT基板の製造工程が簡略化される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化インジウムを主成分とし、 W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pdからなる第1金属群M1から選ばれた1種又は2種以上の金属又はその金属の酸化物と、 ランタノイド系金属からなる第2金属群M2から選ばれた1種又は2種以上の金属の酸化物と、 を含むスパッタリングターゲット。
IPC (9件)：
C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786
FI (10件)：
C23C14/08 D ,  C23C14/34 A ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B5/14 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/88 M ,  H01L29/78 616V
Fターム (83件)：
2H092GA11 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092KA05 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092PA01 ,  4K029BA45 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  4M104HH15 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK05 ,  5F033KK08 ,  5F033KK17 ,  5F033LL02 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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