レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138857
公開番号（公開出願番号）：特開2007-017949
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、αヒドロキシメチルアクリレートを繰り返し単位として含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、αヒドロキシメチルアクリレートを繰り返し単位として有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。

IPC (3件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (4件)：

G03F7/11 503 , H01L21/30 574 , H01L21/30 573 , H01L21/302 104H

Fターム (25件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA35 , 2H025FA41 , 2H025FA47 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA28 , 5F004DB26 , 5F004EA02 , 5F004EA04 , 5F046NA19 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (9件)

レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-378235 出願人：東京応化工業株式会社
保護膜形成用材料、積層体およびレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-003807 出願人：東京応化工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-217175 出願人：株式会社日立製作所, 東京応化工業株式会社

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