特許
J-GLOBAL ID：200903061506904611

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-334951
公開番号（公開出願番号）：特開2006-145775
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】架橋効率が高く、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が小さいためパターン崩壊やラインエッジラフネスが低減される、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクパターン作成における微細パターン形成材料として好適なレジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。 【化45】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  C08F 220/26 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  C08F220/26 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
Fターム (29件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BB18R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC52Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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