特許
J-GLOBAL ID：200903076320037478

窒化物半導体結晶の製造方法

発明者：
平岡 晋

平岡 晋 について

, 
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
工藤 広光

工藤 広光 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350463
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165070
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】ファセットLEPS法を用いてGaN系結晶を歩留り良く製造する方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体結晶がc軸配向し得る主面Sを有する異種基板1を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、段差0.5μm以下の段差部で区画された凹部底面1aと凸部上面1bとを有する凹凸面とする。次に、前記凹部底面1aおよび凸部上面1bのそれぞれに、斜めファセット2fを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位2を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層3とし、窒化物半導体結晶を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(i)窒化物半導体結晶がc軸配向し得る主面を有する異種基板を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、該主面を、段差0.5μm以下の段差部で区画された凹部底面と凸部上面とを有する凹凸面とする工程と、 (ii)前記凹部底面および凸部上面のそれぞれに、斜めファセットを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層とする工程とを有する、 窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C
Fターム (39件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB16
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM